聚焦第三代半導體材料，填補國內空白

李俊諭：跨越海峽 閩都筑夢科創

“從臺灣臺南到福建福州，從實驗室的晶體生長爐到國際市場的醫療設備，我始終相信技術無界，創新同源。”閩都創新實驗室高級工程師李俊諭說道。這既是他深耕半導體材料與晶體生長領域的心聲，更是一名臺胞投身大陸科創事業、踐行“兩岸一家親”的生動注腳。

李俊諭。

來榕投身科創事業

近日，記者來到位于福州高新區的閩都創新實驗室。初見李俊諭，他便帶著記者參觀晶體生長實驗，介紹晶體生長爐，語氣里滿是對實驗進展的關切。

李俊諭1985年出生于臺灣臺南，2015年10月取得臺灣中山大學工學博士學位，同年加入臺灣中山大學尖端晶體材料實驗室擔任博士后，從事大尺寸晶體生長研究。2017年1月，看中大陸廣闊的科創平臺與產業機遇，他前往河北的一家從事醫用探測設備晶體材料研發的企業工作，開啟在大陸的技術攻堅之路。

但他心中始終放不下對半導體專業深入研究的追求。2020年，老朋友陳晨龍的一次邀約，徹底改變了他的科研軌跡?！八敃r評上中國科學院福建物質結構研究所課題組長，正在招兵買馬，便邀我加入，而且所做課題正好與氮化鎵相關?！崩羁≈I說。這一邀約，點燃了李俊諭內心深處的渴望，當年他踏上了福州這片土地，如今已入職閩都創新實驗室繼續深化相關研究。

技術填補國內空白

眼下，李俊諭聚焦的對象是一種在當今前沿產業中至關重要的材料——氮化鎵（GaN）。

氮化鎵作為第三代半導體材料，在新能源汽車、5G通信、消費電子等前沿產業中有著廣泛應用。然而，其高性能的實現依賴于穩定可靠的襯底。長期以來，主流的氮化鎵單晶襯底制備方法以藍寶石襯底為主，但這種方法存在著晶體缺陷密度大、制作成本高的問題。李俊諭比喻道：“如果受限于襯底的晶向，就相當于‘房子只能按一個方向建’，不僅性能大打折扣，還嚴重限制了氮化鎵在更高端場景中的應用和發展?！?/p>

為了解決這一“卡脖子”難題，李俊諭所在團隊原創性地提出一種“新型氮化鎵單晶晶體制備技術”。他們另辟蹊徑，選擇使用鎵酸鋰作為基材，通過特殊的原位轉化機制，讓氮化鎵晶體能夠“從地里自己長出來”，不再需要貼附在異質材料上外延生長。

經過無數次試驗和優化，他們終于攻克晶向控制難題，開辟出全新技術路線。

李俊諭所在團隊已完成從基礎研究到應用開發再到產業化的全過程創新，開發出全球首創、國際領先的新型多孔GaN單晶晶體。該項目獲福建省閩臺合作引智專項計劃項目資助，并在第八屆“創客中國”福建省中小企業創新創業大賽中榮獲全省總決賽創客組二等獎，入選“創客中國”500強名單。

“我們已實現兩英寸多孔氮化鎵晶片的制備，正向四英寸推進。該技術實現了高質量GaN的晶向控制，填補了國內該領域的空白，未來在降低生產成本和提升器件性能方面具有領先優勢。”李俊諭介紹道。

在科研道路上，李俊諭成果豐碩。截至目前，他獲得授權專利18項，發表SCI論文15篇，主持福建省閩臺合作引智專項，參與閩都重大引領示范類項目等重大課題，建成半導體晶體材料與裝備研發平臺，培養技術骨干10余人。

2025年，李俊諭榮獲“福州工匠”稱號，這一榮譽是對他在半導體領域深耕與創新的高度肯定。而在生活中，李俊諭也收獲滿滿的幸福，如今已娶妻生子在福州安了家。

來源：福州晚報

編輯：黃國偉